区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封 装 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

瓷片电容电磁兼容的问题常发生于高频状态下，个别问题（电压跌落与瞬时中断等）除外。

 高频思维，总而言之，就是器件的特性、电路的特性，在高频情况下和常规中低频状态下是不一样的。

 如果仍然按照普通的控制思维来判断分析，则会走入设计的误区。比如：

 瓷片电容在中低频或直流情况下，就是一个储能组件，只表现为一个电容的特性，但在高频情况下，它就不仅仅是个电容了。

它有一个理想电容的特性，有漏电流（在高频等效电路上表现为R），有引线电感，还在导致电压脉冲波动情况下发热的ESR。

 瓷片电容能帮我们设计师得出很多有益的设计思路。按照常规思路，1/2πfc是电容的容抗，应该是频率越高，容抗越小，滤波效果越好。

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薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能好的电容器。

 它的主要等性如下：无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异，而且介质损失很小。

 基于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。

尤其是在信号交连的部分，必须使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。

 其结构和纸介电容相同，稳定性比较好，适宜做旁路电容。

 聚苯乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大，可用于高频电路。

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