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STC5NF20V场效应管MOS管NN沟道25V/66ATSSOP8
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STC5NF20V场效应管MOS管NN沟道25V/66ATSSOP8

发货 广东省深圳市
参数

大功率

产品特性

VBsemi（台湾微碧）

品牌

STC5NF20V

型号

TSSOP8

封装

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深圳市微碧半导体有限公司

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主营： N沟道MOSFET

广东省深圳市

  • 技术参数

品牌：VBsemi台湾微碧
型号：STC5NF20V
批号：20+
封装：TSSOP8
沟道类型：N+N沟道
漏源电压（Vdss）：25V
漏极电流（Id）：6.6A
漏源导通电阻（RDS On）：22mΩ@4.5V
栅源电压（Vgs）：±12V
耗散功率（W）：1.5

  •  品牌介绍










 

  • 规格书

 

  •  用途/应用领域

 

          3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、军工/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居




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产品属性
产品特性 大功率
品牌 VBsemi（台湾微碧）
型号 STC5NF20V
封装 TSSOP8
批号 20+
FET类型 增强型
漏源电压（Vdss） 25V
漏极电流(Id) 6.6A
漏源导通电阻(RDS On) 22mΩ@4.5V
栅源电压(Vgs) ±12V
栅极电荷(Qg) 12
反向恢复时间 /
最大耗散功率 1.5mW
配置类型 N+N沟道
工作温度范围 /
安装类型 /
应用领域 Array
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