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IPW65R041CFD
型号
650V
漏源极电压（Vdss）
INFINEON/英飞凌
品牌
41毫欧@33.1A，10V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）
肖生
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主营： 磁性元器件 | 电力集成器件 | 集成电路
广东省深圳市
参数
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-247 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 2185 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 68.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 68.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.041 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 500 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 255 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
ISL59833IAZ-T7 /RENESAS/瑞萨
ATXMEGA128A1U-AU/Microchip(微芯科技)
VNH5019ATR-E/ST(意法半导体)
VN7050AJTR/ST/意法
IPW65R041CFD /INFINEON/英飞凌
AT24CM01-SSHD-T/MICROCHIP(美国微芯)/EEPROM存储器
ISL59833IAZ-T7 /RENESAS/瑞萨
ATXMEGA128A1U-AU/Microchip(微芯科技)
VNH5019ATR-E/ST(意法半导体)
VN7050AJTR/ST/意法
IPW65R041CFD /INFINEON/英飞凌
AT24CM01-SSHD-T/MICROCHIP(美国微芯)/EEPROM存储器
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