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IGBT系列

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上海菲兹电子科技有限公司

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IGBT在关断过程中，漏电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏电流的关断时间。
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产品属性
系列 IGBT系列
封装 标准封装
批号 new
可控硅类型 硅（si）
种类 化合物半导体
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