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西门康SEMiX151GD066HDIGBT模块采购 上海菲兹
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西门康SEMiX151GD066HDIGBT模块采购-上海菲兹

发货 上海市
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IGBT系列

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硅（si）

可控硅类型

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上海菲兹电子科技有限公司

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主营： 电力、热力生产和供应业

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IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅和发射并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅电压的增加而降低。
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产品属性
系列 IGBT系列
封装 标准封装
批号 new
可控硅类型 硅（si）
种类 化合物半导体
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