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DIODES DMN3070SSN-7 SOT-23 丝印N70 N道沟MOS管场效应管
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DIODES-DMN3070SSN-7-SOT-23-丝印N70

发货 广东省深圳市
参数

DIODES

品牌

SOT-23

封装

DMN3070SSN-7

型号

2021+

批号

主营: TVS-二极管 | 自恢复保险丝 | 芯片

广东省深圳市

 

DMN3070SSN-7 SOT-23 丝印N70 30V 4.2A N道沟MOS管场效应管

 

型号:DMN3070SSN-7
包装:3000/盘
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管FET MOSFET 单
FET类型:N沟道
技术:MOSFET 金属氧化物
漏源电压:30V
连续漏电流:4.2A
驱动电压:4.5V-10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On:40 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th):2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅电荷:13.2nC @ 10V
Vgs:±20V
不同 Vds 时的输入电容:697pF @ 15V
功率耗散:780mW
工作温度:-55°C -150°C
封装:SOT-23-3

 

 

DMN3070SSN (4)

DMN3070SSN (3)

 

 

 

 

 

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产品属性
品牌 DIODES
封装 SOT-23
型号 DMN3070SSN-7
批号 2021+
沟道类型 N沟道
种类 场效应管
封装外形 表贴
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
漏极电流(Id) 4.2A
漏源导通电阻(RDS On) 40 毫欧
栅源电压(Vgs) 15V
栅极电荷(Qg) 13.2nC @ 10V
反向恢复时间 13.2nC
最大耗散功率 780
配置类型 MOSFET 金属氧化物
工作温度范围 -55°C -150°C
安装类型 表面贴装
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
包装 3000/盘
数量 18000
关 闭
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询价产品: DIODES DMN3070SSN-7 SOT-23 丝印N70 N道沟MOS管场效应管

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