规格书：AO8820

http://aosmd.com/res/data_sheets/AO8820.pdf

规格 AO8820

FET类型2 N沟道（双）共漏

FET功能逻辑电平门

漏源电压（VDSS）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）7A

不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）21毫欧@ 7A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）1.1V @250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）9nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）500pF @ 10V

功率 - 最大值1.5W

工作温度-55°C~150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）

一般说明

AO8820采用先进的沟槽技术提供

出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极操作

电压低至1.8V，同时保持12V VGS（MAX）

评分。它受到ESD保护。该设备适合使用

作为单向或双向负载开关，便利

通过其共漏配置。

产品摘要

AO8820

VDS 20V

ID（VGS = 10V）7A

RDS（ON）（VGS = 10V）<21mΩ

RDS（ON）（VGS = 4.5V）<24mΩ

RDS（ON）（VGS = 3.6V）<28mΩ

RDS（ON）（VGS = 2.5V）<32mΩ

RDS（ON）（VGS = 1.8V）<50mΩ

ESD保护！

AO8820

A.使用安装在1in2 FR-4板上的器件和2oz测量RθJA的值。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s结至环境热阻。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ（MAX）= 150°C的限制。额定值基于低频率和占空比来保持

initialTJ = 25°C。

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