规格书：AOD4186

http://aosmd.com/res/data_sheets/AOD4186.pdf

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 15 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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