一般说明

AO3413采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和

栅极电压低至1.8V的操作。这个

该器件适合用作负载开关或PWM

应用。

特征:AO3413

VDS = -20V

ID = -3A（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<80mΩ（VGS = - 4.5V）

RDS（ON）<100mΩ（VGS = -2.5V）

RDS（ON）<130mΩ（VGS = -1.8V）

AO3413

A：RθJA的值是用安装在1合2 FR-4板上的器件测量的，含2oz。铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。该

任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。电流额定值基于t≤10s的热阻额定值。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C.RθJA是从结到引线RθJL的热阻抗与导致环境的总和。

D.使用300μs脉冲宽度，占空比最大0.5％获得图1至图6中的静态特性。

E.这些测试是在装有1英寸2 FR-4板和2盎司的装置上进行的。铜，在静止空气环境中，T A = 25°C。 SOA

曲线提供单脉冲额定值。

AO3413

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）97 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6.1nC @ 4.5VVgs（最大值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）540pF @ 10VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3L