雪崩能量测试仪参数

雪崩能量测试仪参数    浪涌电流测试仪 IGBT测试仪 晶体管测试仪

半导体分立器件作为在电力电子行业中应用*为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。 该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行*终的编辑和打印。 ENX2020 雪崩耐量测试系统 功能指标： 配置 测试范围 测试参数 条件 范围 电压 1000V IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 电流 200A MOSFETs MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA DIODEs 二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器） 感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 重复间隙时间 1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次