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天光测控MOSFET动态参数测试仪
天光测控MOSFET动态参数测试仪
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天光测控MOSFET动态参数测试仪
天光测控MOSFET动态参数测试仪

天光测控MOSFET动态参数测试仪

发货 陕西省西安市
参数

天光测控

品牌

ST-DP_Q(1200V100A)

型号

1200V100A

测量范围

VGE±1% ±0.2V

测量精度

主营: 仪器仪表制造业

陕西省西安市



MOSFET&IGBT 栅极电荷门极电荷Qg测试仪
ST-DP_Q(1200V100A)

用于MOSFET&IGBT栅极电荷门极电荷Qg参数测试


阈值电荷 Qg(th) 1nC~5000nC(支持 0.1nC 的*小测量值,*高可至 0.01nC)
栅电荷 Qg 1nC~5000nC(支持 0.1nC 的*小测量值,*高可至 0.01nC)
平台电压 VgP 0V~10V





♦产品简述
      ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换,可测试各类封装外观的 IGBTs,MOSFETs,DIODEs等功率器件,包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计,根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT(双脉冲测试 Double Pulse Testing,以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性)栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。
      产品功能及输出功率进行了模块化设计,满足用户潜在的后期需求,*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA,变温测试支持常温到200℃,支持生产线批量化全自动测试。


♦产品特点
 测试系统电压以1500V为一个模块,电流以2000A为一个模块,可扩展至10KA/10KV
 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
 另有程控式电感箱可供选择
 针对不同结构的封装外观,通过更换 DUT适配器即可
 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为Excel文件
 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH
 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用(24hr 工作)
 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)
 系统具有安全工作保护功能,以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害,设计符合CE认证
 支持半自动和全自动测试
 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点
 自动化:单机测试时只需手动放置DUT,也可连接机械选件实现自动化测试线
 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传指定局域网
 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。

♦参数指标


产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

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¥65万/套

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¥100/套

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¥100/台

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¥199/套
产品属性
品牌 天光测控
型号 ST-DP_Q(1200V100A)
测量范围 1200V100A
测量精度 VGE±1% ±0.2V
短路电流 2500A
测试范围 IGBTs,MOSFETs, Diode
测试能力 Qg(th)/ Qg / VgP
关 闭
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