CZT5551的主要参数

型号：CZT5551

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V

集电极—基极电压 VCBO:180 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.2 V

最大直流电集电极电流:0.6 A

增益带宽产品fT:300 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:CZT5551

高度:1.7 mm

 长度:6.7 mm 

封装:Cut Tape 

封装:MouseReel 

封装:Reel 

宽度:3.7 mm 

商标:Central Semiconductor 

直流集电极/Base Gain hfe Min:80 

Pd-功率耗散:2 W 

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

工厂包装数量:1000 

子类别:Transistors 

零件号别名:CZT5551 PBFREE TR 

单位重量:112 mg

Mouser编号：610-CZT5551

制造商编号：CZT5551 TR

制造商：Central Semiconductor

说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage

公司简介：

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