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AOD609 40V/12A/N+P沟道/TO-252-4L封装MOS管 AO万代场效应管
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AOD609-40V/12A/N+P沟道/TO-252-4L封装MOS管-AO万代场效应管

发货 广东省深圳市
参数

WINSOK微硕

品牌

AOD609

型号

TO-252-4L封装

封装

2019

批号

主营: 信息传输、软件和信息技术服务业 | 计算机、通信和其他电子设备制造业

广东省深圳市

AOD609 40V/12A/N+P沟道/TO-252-4L封装MOS管 AO万代场效应管

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产品属性
品牌 WINSOK微硕
型号 AOD609
封装 TO-252-4L封装
批号 2019
FET类型 N+P沟道
漏源电压(Vdss) 40
漏极电流(Id) 12
漏源导通电阻(RDS On) 40
栅源电压(Vgs) 20
栅极电荷(Qg) 8.3
反向恢复时间 3
最大耗散功率 27
配置类型 增强型
工作温度范围 -55℃-150℃
安装类型 贴片
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,家用电器,安防设备,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
关 闭
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询价产品: AOD609 40V/12A/N+P沟道/TO-252-4L封装MOS管 AO万代场效应管

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