返回
详情 推荐
更多
客服
WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕
WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕
WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕
WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕
WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕

WSD2012DN25-20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管-场效应管WINSOK微硕

发货 广东省深圳市
参数

WINSOK

品牌

WSD2012DN25

型号

DFN2X5

封装

2018

批号

联系商家

林小辉

点击拨打

深圳市冠华伟业科技有限公司

进店看看

主营： 信息传输、软件和信息技术服务业 | 计算机、通信和其他电子设备制造业

广东省深圳市

WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕

CEB550 100V/33A/单N沟道/TO-263场效应管 CET/华瑞MOS管

广东省深圳市
¥1.60/PCS

CEB14A04 40V/180A/单N沟道/TO-263场效应管 CET/华瑞MOS管

广东省深圳市
¥1.60/PCS

CEP6086 60V/70A/单N沟道/TO-220场效应管 CET/华瑞MOS管

广东省深圳市
¥1.30/PCS

CEP22N06 60V/21.8A/单N沟道/TO-220场效应管 CET/华瑞MOS管

广东省深圳市
¥1.30/PCS

PDB4854S 40V/4.3A/双N沟道/DFN2X2-6场效应管 博盛MOS管

广东省深圳市
¥1.20/PCS

CEH2321A -20V/-4.8A/单P沟道/TSOP-6场效应管 CET/华瑞MOS管

广东省深圳市
¥1.30/PCS

IRFR5410 mosfet 微硕MOS管小电阻

广东省深圳市
¥1.32/单位

IRFR3411 mosfet 微硕MOS管小电阻

广东省深圳市
¥1.68/单位

BSC047N08NS3G 场效应管 微硕MOS管低压

广东省深圳市
¥1.36/单位

BSC057N08NS3G MOS管 微硕场效应管小功率

广东省深圳市
¥1.36/单位

BSC160N10NS3G mosfet 微硕MOS管小电阻

广东省深圳市
¥1.36/单位

BSC252N10NSFG 场效应管 微硕MOS管低压

广东省深圳市
¥1.36/单位
产品属性
品牌 WINSOK
型号 WSD2012DN25
封装 DFN2X5
批号 2018
FET类型 绝缘栅(MOSFET)
漏源电压（Vdss） 20V
漏极电流(Id) 11A
漏源导通电阻(RDS On) 9.5mΩ(max)
栅源电压(Vgs) 12V
栅极电荷(Qg) 12.5
反向恢复时间 1.0
最大耗散功率 1.7
配置类型 增强型
工作温度范围 -55℃-150℃
安装类型 贴片
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,家用电器,安防设备,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
关 闭
取消
大家都在搜

曝气精滤机

金属彩钢瓦

银焊条回收

立即询价 ×
询价产品： WSD2012DN25 20V/11A/DFN封装/N沟道MOS管 场效应管WINSOK微硕

*采购数量： PCS

采购数量不能为空

*联系信息：

联系信息不能为空

公司名称：

采购说明：

*验证码：

验证码不正确