型号：K4A4G085WE-BCRC，K4A4G085WE-BCRC，K4A4G085WE-BCRC

容量4 Gb

架构512M x 8

速率2400 Mbps

工作电压1.2 V

工作温度0 ~ 85 °C

封装78FBGA

产品状态：批量生产

记忆半导体一直坚持库存现货为主，期货为辅的销售模式，公司常年备货以及订货的优势产品包括：闪存NAND FLASH,同步动态随机存储芯片SDRAM,显示数据随机存储芯片DDR SDRAM,具体的型号有：

SST系列：SST39,SST38,SST36。

ISSI系列：IS43,IS45,IS46,IS61。

HYNIX系列：的H55S，H57V，H5MS，H5PS，H5TC，H5TQ，HY5DU，HY5MS，H27U，HY57。

MICRON系列：MT29C,M36W,MT47H,MT48LC,MT41J,JS28F,M25P。

SAMSUNG系列：K4A，K4S,K4T,K4B,K4X,K4J,K9F,K9K,K9W,K6R,K6T,K6X,K7S。

SPANSION系列：S71V,S71W,S72X,S29J,S29G,S70F,AM29。