制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TISON-8通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms, 1.2 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:8.9 nC, 33 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W配置:Dual通道模式:Enhancement商标名:OptiMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.27 mm 长度:5.9 mm 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:38 S, 70 S 下降时间:2.4 ns, 3.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3.4 ns, 5 ns 工厂包装数量:5000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:12 ns, 25 ns 典型接通延迟时间:1.8 ns, 5 ns 零件号别名:BSC0921NDIATMA1 BSC921NDIXT SP000934748 单位重量:101.600 mg

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