广大无线电爱好者在制作率合成器（分配器）时经常在选择磁环，导线等问题大伤脑筋，且这些问题如果处理不当，必定效果不理想。经常在频率上和网上听到或看到有人抱怨，加了巴伦还不如不加……为了解决这些问题，要从高频变压器问题解决。本人根据一些资料，总结了一些关于传输线变压器的一些问题和大家共同探讨，有不当之处，请大家予以指正。

 将高频传输线绕在具有高导磁率(u)低损耗的铁氧体磁环上就变成传输绝变压器，其电路从表面上看似乎与普通变压器没有多大差别，但实际上它们传递能量的方式是不相同的。普通变压器信号电压加在初级绕组的1、2端，使初级线圈有电流流过，然后由此产生的磁力线在次级(3、4端)感应出相应的交变电压，能量就是这样由输入端传到负载。而传榆线变压器的信号电压却加在1、3端，能量在两导线的介质间传播到负载。传输线变压器能量传输原理如图l-a所示。出于两根导线是紧靠绕在一起，所以导线任意点的线间电容都是很大的，而且在整个线长上是均匀分布的。由于导线是绕在高u磁芯上，故导线每一小段Δl的电感量是很大的，而且均匀分布在整个线段上。这些电容和电感量通常叫分布参数，由线间电容和导线电感组成的电路叫分布参数电路。

最近，高通公司更新了一些主要骁龙Snapdragon处理器的规格，包括Snapdragon 855、Snapdragon 845、Snapdragon 710、Snapdragon 675和Snapdragon 670。新的规格说明这些处理器中的Spectra ISP能够支持像素高达192MP的单个摄像头，因此带来一种令人兴奋的可能性，采用1亿像素传感器的智能手机摄像头。

　　在一次电话采访中，高通公司摄像机、计算机视觉和视频产品管理主管Judd Heape透露，超高分辨率智能手机摄像头传感器确实正在研发中，目前正由业内一些的传感器制造商研发。虽然在高通公司宣布新规格之前，这些产品还不能作为工程样品提供，但预计将在2019年底之前它们将提供给原始设备制造商，这表明这种制造商正在开发相同的产品。

　　当被问到高通公司是否真的用上述骁龙Snapdragon处理器中的ISP测试了一个192MP的摄像头传感器时，Judd Heape否认了这种可能性，因为目前还没有这样的传感器。目前市场上最常见的大分辨率传感器是4800万像素，今年将有更多的高分辨率传感器以6400万像素的规格出现。