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场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY/威世 2019 SC70-6工厂价格优惠
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场效应管-SI1553CDL-T1-GE3-VISHAY/威世-2019

发货 广东省深圳市
参数

2530694866

Q Q

Vishay

制造商

MOSFET

产品种类

是

RoHS

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姚少华

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深圳市米莱欧科技有限公司

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主营： TVS/二极管 | 贴片三极管

广东省深圳市

品牌
VISHAY/威世
批号
19+
封装
SOT-363-6
数量
928
QQ
2530694866
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
700 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms, 850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Qg-栅极电荷
1.8 nC, 3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
340 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值
1.5 S, 0.8 S
下降时间
13 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 12 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 15 ns
零件号别名
SI1553DL-T1-GE3 SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3 S
单位重量
28 mg
可售卖地
全国
型号
SI1553CDL-T1-GE3


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产品属性
Q Q 2530694866
制造商 Vishay
产品种类 MOSFET
RoHS 是
技术 Si
装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-363-6
通道数量 2 Channel
晶体管极性 N-Channel
P-Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V
Id-连续漏极电流 700 mA, 500 mA
QQ 2530694866
型号 SI1553CDL-T1-GE3
品牌 VISHAY/威世
批号 2019
封装 SC70-6
交易说明 工厂价格优惠
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