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Infineon英飞凌 MOSFET管 IPB042N10N3G原装现货
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Infineon英飞凌 MOSFET管 IPB042N10N3G原装现货

Infineon英飞凌-MOSFET管-IPB042N10N3G原装现货

发货 广东省深圳市
参数

IPB042N10N3G

型号

Infineon

品牌

21+

批号

PG-TO-263-3

封装

主营: 其他集成电路

广东省深圳市



Infineon
MOSFET
RoHS: 详细信息
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
4.2 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标:Infineon Technologies
配置:Single
下降时间:14 ns
正向跨导 - 最小值:73 S
高度:4.4 mm
长度:10 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:59 ns
系列:OptiMOS 3
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:48 ns
典型接通延迟时间:27 ns
宽度:9.25 mm
零件号别名:IPB42N1N3GXT SP000446880 IPB042N10N3GATMA1
单位重量:324 mg


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产品属性
型号 IPB042N10N3G
品牌 Infineon
批号 21+
封装 PG-TO-263-3
QQ 2480898381
Vds-漏源极击穿电压 100 V
晶体管极性 N-Channel
Id-连续漏极电流 100 A
通道数量 1 Channel
Rds On-漏源导通电阻 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
Qg-栅极电荷 88 nC
数量 65200
关 闭
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询价产品: Infineon英飞凌 MOSFET管 IPB042N10N3G原装现货

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