Diodes
品牌
2530694866
Q Q
SOT-23
封装
320000
数量
姚少华
主营: TVS/二极管 | 贴片三极管
广东省深圳市
商品详情
RoHS | 是 |
---|---|
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 900 mV |
Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
Qg-栅极电荷 | 8.5 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
下降时间 | 205 ns |
正向跨导 - 最小值 | 8 S |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
上升时间 | 66 ns |
系列 | DMG6968 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
典型关闭延迟时间 | 613 ns |
典型接通延迟时间 | 54 ns |
单位重量 | 8 mg |
制造商 | Diodes Incorporated |
包装方式 | 带卷(TR) |
寿命周期 | 在售 |
FET 类型 | N 沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 6.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.5nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 151pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
工作温度范围 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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