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INFINEON
品牌
2530694866
Q Q
SOT-23
封装
320000
数量
姚少华
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主营： TVS/二极管 | 贴片三极管
广东省深圳市
商品详情
| 制造商 | Infineon Technologies |
|---|---|
| 系列 | HEXFET® |
| 包装方式 | Re-Reel® |
| 寿命周期 | 在售 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 工作温度范围 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 / 箱体 | Micro3™/SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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