PL3331

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PL3331副边导通时，电流首先流过功率 MOS 的体二极管，当芯片检测到功率 MOS 漏极与源极压差小于V ON_TH 时，芯片经过时间 T DON 开启功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分别为-200mV 和 80ns。

PL3331当流经功率 MOS 的电流逐渐下降，直到 MOS 漏极与源极的压差超过 V OFF_TH 时，芯片经过时间 T DOFF开启功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分别为-12mV 和 50ns。

PL3369

PL3369 小功率的充电器/适配器应用提供了很有效的解决方案，其新颖的恒流/恒压控制使得系统不需要次级反馈电路，并能实现高精度的恒流/恒压输出，从而满足更严格的能源损耗要求。

PL336 主要应用：手机充电器、小功率率电源适配器、LED驱动、消费类的备用电源、12W电源IC\适配器\LED驱动IC等。

PL3115B

PL3115B 同时具有多种保护功能：逐周期峰值电流检测、欠压保护、过压保护等。PL3115B主要应用电动车专用，DC-DC功能IC，隔离，手机/无绳电话充电器、数码相机充电器、小功率电源适配器、消费类的备用电源等。

PL3115B的复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。在恒流模式以及系统重载下，芯片会工作在PFM模式，系统正常时，PL3115B工作在PWM模式。这种绿色模式会大大提高系统的效率，同时能够节省能耗。