一、产品简介

超辐射发光二极管(Superluminescent Diode, SLD)是近些年发展起来的一种半导体发光器件。超辐射光是由自发发射光子在增益介质中传播经历了受激放大过程而得到的。我们把放大了的自发发射称为超辐射，也就是ASE（Amplified Spontaneous Emission），这是一种强激发状态下定向的辐射现象，当激发密度足够高时，自发发射的光子受激放大而雪崩式倍增，发光强度随激发强度超线性地急剧增加，谱线宽度变窄，其主要特征是由初始的自发发射很快地演变为受激发射。

理想的超辐射器件是一种相位不一致的非相干光源。它具有半导体激光器(Laser Diode, LD) 功率大、耦合效率高、响应速度快的优点，同时具有普通发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)的低噪音、频谱宽的优异性能。与半导体激光器相比，超辐射发光二极管有更宽的发光光谱，也即更短的相干长度，可以显著地降低由光纤瑞利散射和非线性光克尔效应等引起的噪声以及光纤传输的模式噪声；与一般的发光二极管相比，超辐射发光管的输出功率更高，发散角更小，耦合效率更高以及响应速度更快。性能介于LD和LED之间的超辐射发光管能够同时满足光功率较大、相干长度又较小的要求。

二、产品参数

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