TESCAN XEIA3 FIB-SEM双束电镜 集非凡的超高分辨成像能力和优异的微细加工于一体。强大且超快速的微/纳米 FIB 加工、低能电子束下的超高分辨率(UHR)、超快且可靠的微量分析和三维重构功能,使得 XEIA3 成为一款理想易用的 FIB-SEM 系统。
世界上第一个带有 SEM 的完全集成的 Xe 等离子体源 FIB 可实现高达 2.5 μA 的极高离子电流,因此与传统的 Ga 源 FIB 相比,溅射速率提高了 50 倍以上。这预先确定了 XEIA 用于铣削过去耗时或不可能的大量材料。
XEIA 是一款完全由 PC 控制的 SEM,具有肖特基场发射阴极与 Xe 等离子聚焦离子束 (SEM-FIB) 柱相结合,还完全配备了用于五种不同气体的气体注入系统 (GIS)。XEIA 在新设计的大型样品室中有 20 多个端口,还在一台仪器中集成了多种纳米分析功能。
TESCAN XEIA3 突出特点
Triglav™ -新型超高分辨率 ( UHR ) 电子光学镜筒
TriLens™物镜系统:独特的电子束无交叉模式与超高分辨率物镜相结合
具有多个 SE 及 BSE 探测器的先进探测系统
TriSE™+ TriBE™
Triglav™ - 低加速电压下的超高分辨率:1 nm (1 kV ), 0.7 nm (15 kV )
EquiPower™ 进一步提高电子束的稳定性
电子束流高达 400nA,并能实现电子束能量的快速改变
优化的镜筒几何设计最大可容纳 8” 晶圆
极其强大的 Xe 等离子源 FIB 镜筒
高电子回旋共振(High-ECR)产生的 Xe 等离子源 FIB 镜筒,可完成 Ga 离子源 FIB 在纳米工程领域不能完成的任务
溅射速率比 Ga 液态金属离子源快 50 倍
离子束流范围:1 pA ~ 2 μA;分辨率:<25 nm
新研发的高分辨率 Xe 等离子体 FIB 镜筒(选配),分辨率优于< 15 nm,进一步增强刻蚀能力
大重量的 Xe 等离子具备更大的 FIB 电流范围,在无气体辅助增强的条件下也可实现超快溅射
相较于 Ga 液态金属离子源,离子注入效应显著减少
Xe 惰性气体原子不会改变图样区域附近的电学性能
铣削过程中无金属间化合物形成