氯、臭氧、二氧化氯

氯化、臭氧化和二氧化氯 (ClO 2 ) 是对超纯水和处理系统进行消毒和消毒的常用有效技术。溶解的氯，臭氧和C10的测量2个浓度高纯度的处理过程的主要部分，以保证足够的处理水平。

电导率

在纯水系统中，电解电导率或电阻率测量是离子污染最常见的指标。

当使用采样管线进行测量时，超纯水很容易被大气中的微量二氧化碳通过微小泄漏或通过薄壁聚合物管扩散而受到污染。二氧化碳在水中形成导电碳酸。因此，电导探头通常永久地直接插入主超纯水系统管道中，以提供对污染的实时连续监测。这些探头包含电导率和温度传感器，可以准确补偿温度对纯水电导率的巨大影响。

氧气（溶解的）

先进的微电子制造工艺要求超纯冲洗水中的溶解氧 (DO) 浓度低至个位数至 10 ppb，以防止晶片薄膜和层氧化。发电厂水和蒸汽中的溶解氧必须控制在 ppb 级以最大程度地减少腐蚀。

漂洗水中的杂质，如高溶解氧含量、有机污染物和气泡会导致缺陷。控制晶片表面上的氧化物形成是减少残留溶解氧水平的原因之一。随着芯片线宽不断减小，水的质量和溶解氧含量变得更加关键。

酸碱度

许多水处理应用中经常使用高纯水，以避免水杂质可能造成的污染。测量这种水的 pH 值具有挑战性，需要专门的设备。

由于各种原因，高纯水中的 pH 测量具有挑战性。纯水的低电导率加上易受污染、参比电极的可变性和额外的温度影响，使这成为一项特别具有挑战性的测量。克服这些障碍需要彻底了解潜在问题及其系统解决方案。

氧化还原 (ORP)

氧化还原或 ORP（氧化还原电位）测量用于指示水中氧化或还原条件的存在。在纯水处理中，ORP 通常用于确保在可能被氧化损坏的膜或去离子树脂之前去除氯或其他氧化剂。

二氧化硅

在高纯水处理系统中，如果在生产过程中出现任何故障，二氧化硅含量通常首先增加。

高纯水系统通常测量痕量二氧化硅，因为它是污染物的可靠主要指标。二氧化硅是地球上最丰富的矿物质之一，存在于所有水源中。在芯片制造行业，微量二氧化硅有可能在 UPW 干燥时保留在微芯片的晶圆上，这会导致产量的显着损失