CSD19531Q5A
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CSD19531Q5A

发货 广东省深圳市
参数

TI

品牌

TI 场效应管

产品说明

原包

包装

VSON8

封装

主营: 其他制造业 | 电气机械和器材制造业

广东省深圳市

品牌
TI
批号
16+
封装
VSON8
数量
35716
QQ
2221238478
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
87.800 mg
可售卖地
全国
型号
CSD19531Q5A

XCZU9EG-2FFVB1156I XILINX 2020 BGA

广东省深圳市
¥5.80/个

XC2V1000-4FF896CXILINX

广东省深圳市
¥9.80/个

XC2V1000-6FF896CXILINX

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¥9.80/个

XC2V1000-6FF896IXILINX

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¥9.80/个

XC2V1000-4FF896IXILINX

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¥9.80/个

XC2V1000-4FFG896CXILINX

广东省深圳市
¥9.80/个

TPS61041DBVR

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¥2/pcs

DRV8313PWPR

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¥2/PCS

TPS62203DBVR

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¥2/PCS

LP2951CMX/NOPB

广东省深圳市
¥2/PCS

TPS2051BDR

广东省深圳市
¥2/PCS

MKL03Z32VFK4

广东省深圳市
¥2/PCS
产品属性
品牌 TI
产品说明 TI 场效应管
包装 原包
封装 VSON8
批号 21+
特色服务 -
类型 MOSFET
系列 CSD19531Q5A
型号 CSD19531Q5A
数量 5000
关 闭
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询价产品: CSD19531Q5A

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