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波恩仪器销售德国SENTECH仪器多角度激光椭偏仪SE 400adv 绒面多晶硅和单晶硅减反膜厚测量
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波恩仪器销售德国SENTECH仪器多角度激光椭偏仪SE 400adv 绒面多晶硅和单晶硅减反膜厚测量

波恩仪器销售德国SENTECH仪器多角度激光椭偏仪SE-400adv-绒面多晶硅和单晶硅减反膜厚测量

发货 北京市昌平区
参数

SENTECH

品牌

δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°

入射角

是否进口

测量单晶硅样片、多晶硅样片

用途

主营: 其他气象仪器 | 其他智能交通 | 自动气象站

北京市昌平区

波恩仪器销售德国SENTECH仪器多角度激光椭偏仪SE400adv  绒面多晶硅和单晶硅减反膜厚测量


激光椭偏仪 SE 400adv

激光椭偏仪SE 400adv测量透明薄膜的厚度和折射率指数,具有测量速度、亚埃级别的厚度精度和折射率测定的精度。多角度测量允许使用激光椭偏仪SE 400adv表征吸收膜特征。

亚埃精度

稳定的氦氖激光器保证了0.1埃精度的超薄单层薄膜厚度测量。

扩展激光椭偏仪的极限

性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折射率、消光系数和膜厚。

高速测量

我们的激光椭偏仪SE 400adv的高速测量速度使得用户可以监控单层薄膜的生长和终点检测,或者做样品均匀性的自动扫描。

激光椭偏仪SE 400adv可用于从可选择的、应用特定的入射角度表征单层薄膜和基片。自动准直透镜确保在大多数平坦反射表面的吸收或透明衬底上进行准确测量。多角度测量的完全集成支持(40°—90°,5°步进),可用于确定层叠的厚度、折射率和消光系数。为了补偿激光椭偏测量中厚度测量的模糊性,在厚度测量中也采用了多角度测量。

SENTECH激光椭偏仪SE 400adv,用于超薄单层薄膜的厚度测量。小型台式仪器由椭偏仪光学部件、角度计、样品台、自动准直透镜、氦氖激光光源和检测单元组成。我们的激光椭偏仪SE 400adv的选项支持在微电子、光伏、数据存储、显示技术、生命科学、金属加工等领域的应用。

SE 400adv PV 随机携带适用于绒面多晶硅和单晶硅的样品台。
  特别适用于晶硅太阳能电池绒面上的减反膜测量

激光椭偏仪SE 400adv PV

  多角度激光椭偏仪SE 400adv-PV能够测量薄膜厚度及其光学常数,使用632.8nm波长氦氖激光器,具有极高的精确度和准确度。SE 400adv-PV专门针对晶硅太阳能电池绒面上的减反膜测量,具有业内最高的精度和稳定性。SE 400adv-PV的功能基于椭圆偏振光原理,一种使用激光偏振光的非接触光学反射测量方式。其主要特点如下


  • SE 400adv不仅能测量单晶硅样片,还能测量多晶硅样片;(我们可提供真实样片测试报告供参考,用户也可提供样片、我们帮助测量)
  • SE 400adv能测量实际工艺线生产的产品、即粗糙表面的“绒片”(如Textured Silicon),这是业界唯一的;对抛光片的测量精度、准确度也是业界第一;
    (我们可提供真实样片测试报告供参考,用户也可提供样片、我们帮助测量)
  • SE 400adv 配有高灵敏度、低噪声探测器,特别适用于对太阳能电池粗糙表面减反膜造成的低反射光强进行测量;
  • SE 400adv 可对太阳能电池粗糙表面减反膜造成的退偏因数(偏振因数)进行测量和评估,提高测量精度;
  • SE 400adv 配置有高稳定度补偿器,保证了Psi角度的测量范围为0-90°、Delta角度的测量范围为0-360°;此外补偿器可减小环境温度变化带来的影响,即使Delta为0度仍可提供最小的漂移值和最小的测量误差;
  • SE 400adv 配置有高精度的自动光学对准显微镜(ACT),使载物台的高度、倾斜度调整精度、灵敏度达到最高;配置有计算机控制分析器等精密光学组件,保证测量的精度;
  • SE 400adv 可进行40°-90°范围内的多角度测量;
  • SENTECH 与其中国总代理北京东方中科集成科技有限公司,在国内设有技术服务中心,工程师都通过在德国原厂培训、具备很强的技术能力和丰富的应用经验,能为用户提供完善的售前技术支持、设备安装调试、现场使用与维护培训、售后保修维修、应用答疑等服务;
  • 提供中文操作手册;

规格:

    • 激光波长632.8 nm
    • 150 mm (z-tilt) 载物台
    • 入射角度可调,步进5º
    • 自动对准镜/显微镜,用于样品校准

SE 400advanced软件特征:

    • 预先定义应用
    • 多角度测量
    • 广泛的材料数据库
    • 拟合状况的图形反馈
    • 支持多种语言

基本技术指标:

ψ, Δ精度, 90° 入射角:

δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°

长时稳定性2):

δ(ψ)=±0.1°, δ(Δ)=±0.1°

膜厚精度1)

0.1Å,对100nm单晶硅片上的SiO2薄膜标准样片;

折射率精度1) 

5×10-4对100nm单晶硅片上的SiO2薄膜标准样片;


  1) 精度定义为30次测量的标准差
  2) 长时稳定性定义为24小时内90°位置测量的偏差

选项
  •手动(自动)x-y方向移动载物台,行程150 mm
  •地貌图 选项 (x-y方向, 最大行程200 mm, 带有真空吸附接口)
  •摄象头选项,用于取代目镜进行样品对准
  •反射式膜厚仪FTPadvanced,光斑直径80微米(可适用于光滑透明衬底上  •模拟软件)



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产品属性
品牌 SENTECH
入射角 δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°
是否进口
用途 测量单晶硅样片、多晶硅样片
主要用途 按需
产品尺寸 按需
产地 德国
质保 一年
型号 SE 400adv
关 闭
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询价产品: 波恩仪器销售德国SENTECH仪器多角度激光椭偏仪SE 400adv 绒面多晶硅和单晶硅减反膜厚测量

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