IG的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IG导通。
反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IG关断。IG的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。
当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IG在高电压时，也具有低的通态电压。
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IG是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。
它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

IG模块FS450R12KE3/AGDR-71C现货直销,欢迎选购ABBIG模块

若在IG的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IG的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IG与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u的漏电流流过，基本上不消耗功率。
IG是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。
从功能上来说，IG就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IG不用机械按钮，它是由计算机控制的

IG模块FS450R12KE3/AGDR-71C现货直销,欢迎选购ABBIG模块

有了IG这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IG，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。
IG模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IG也指IG模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IG是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航tian、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。