一)产品用途:对于石墨烯生长工艺非常合适。制作硅片可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜,对于离子注入后的贵金属,各种黄金首饰,金刚石等材料的抗弯强度和磨耗也有了较大幅度的提高。并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。适用于集成电路与半导体研发。也可做:于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业进行真空烧结、气氛保护烧结、CVD实验、物质成分测量等场合使用。
(二)主要功能和特点:
1.此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。
2、利用辉光放电产生等离子体电子气相;
3、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量;
4、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率;
4、能广泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
5.常用气体:氮气,氩气,氢气,甲烷四种气体混合使用。比例咨询专家
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