型号:N4953S

参数：-20V

类型：P沟道场效应管

内阻：20mR

低结电容：1880pF

封装：贴片（SOP8）

低开启电压：1.8V

低结电容，低内阻，低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

应用领域：车灯照明、电弧打火机

【MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等

深圳市晶茂欣科技专业从事30-150V中低压MOS管的生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。晶茂欣公司生产的MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。

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