一般信息

数据列表       STB,F,P, W26NM60N;

标准包装      50

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       MDmesh™ II

其它名称       497-9064-5

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      165 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    60nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  1800pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    140W（Tc）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3