IRLML2803TRPBF产品详细规格

文档	IRLML2803TR Saber Model IRLML2803TR Spice Model
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	1.2A
Rds（最大）@ ID，VGS	250 mOhm @ 910mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	5nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	85pF @ 25V
功率 - 最大	540mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	Micro3™/SOT-23
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3Micro
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	1.2 A
RDS -于	250@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	3.9 ns
典型上升时间	4 ns
典型关闭延迟时间	9 ns
典型下降时间	1.7 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
包装高度	1.02(Max)
最大功率耗散	540
渠道类型	N
封装	Tape and Reel
最大漏源电阻	250@10V
最大漏源电压	30
每个芯片的元件数	1
包装宽度	1.4(Max)
供应商封装形式	Micro
包装长度	3.04(Max)
PCB	3
最大连续漏极电流	1.2
引脚数	3
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	1.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	1V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	30V
供应商设备封装	Micro3™/SOT-23
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	250 mOhm @ 910mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	540mW
输入电容（Ciss ） @ VDS	85pF @ 25V
其他名称	IRLML2803PBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS	5nC @ 10V
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高	1.02mm
长度	3.04mm
最大漏源电阻	0.25 Ω
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	0.54 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	SOT-23
典型栅极电荷@ VGS	3.3 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	85 pF V @ 25
宽度	1.4mm
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	20 V
连续漏极电流	1.2 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	400 mOhms
功率耗散	0.54 W
封装/外壳	SOT-23
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant
栅极电荷Qg	3.3 nC
Current,Drain	1.2A
GateCharge,Total	3.3nC
PackageType	Micro3
极化方式	N-Channel
PowerDissipation	540mW
Resistance,DraintoSourceOn	0.25Ohm
Temperature,Operating,Maximum	+150°C
Temperature,Operating,Minimum	-55°C
Time,Turn-OffDelay	9ns
Time,Turn-OnDelay	3.9ns
Transconductance,Forward	0.87S
Voltage,Breakdown,DraintoSource	30V
Voltage,Forward,Diode	1.2V
Voltage,GatetoSource	±20V
案例	SOT23
Transistor type	N-MOSFET
功率	400mW
Drain-source voltage	30V
极化	unipolar
Drain current	1.2A
Multiplicity	1
Gross weight	0.06 g
输出电流	850mA
On-state resistance	0.3Ω
输出	N-MOSFET
Collective package [pcs]	3000
spg	3000
漏源极电压 (Vdss)	30V
系列	HEXFET®
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	85pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）	250 mOhm @ 910mA, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	5nC @ 10V
FET 功能	Logic Level Gate
FET 类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
功率 - 最大值	540mW
associated	IRLML2803PBF