IXFH44N50P的主要参数

型号：IXFH44N50P

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:44 A

Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:650 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:HyperFET

封装:Tube

高度:21.46 mm 

长度:16.26 mm 

系列:IXFH44N50 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:5.3 mm 

商标:IXYS 

正向跨导 - 最小值:32 S 

下降时间:27 ns 

产品类型:MOSFET

 上升时间:29 ns 

工厂包装数量:30 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:85 ns

 典型接通延迟时间:28 ns

 单位重量:6.500 g

Mouser编号：747-IXFH44N50P

制造商编号：IXFH44N50P

制造商：IXYS

说明：MOSFET 500V 44A

公司简介：

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