高分子聚合物ESD

高分子的特点：

1.具有优异的静电吸收能力，与齐纳二极管响应时间达到相同水平，在吸收静电中，可以保持电流-电压对称性。

2.采用层叠结构，具有极低电容特性，可选择0402、0603/0805封装系列。

3.具有较好的安装可靠性，支持无铅焊接。电镀，达到良好的焊接性，焊接耐热性。

4.可替代齐纳二极管+电容。实现既省空间，又可以降低总体安装成本。

EMC整改经验分享

各种各样的电子设备在运行的时候会产生不同程度的电磁传导，感应和辐射等相互影响，在一定的条件下也会对其他电子设备和工作人员造成影响和危害下面简单介绍两种EMC整改流程。

瞬态电压抑制二极管的性能

    在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，他的工作阻抗立即降到很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到一个水平，更有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。

TVS管可以按极性分为单极性和双极性两类，可分为单向瞬态抑制二极管和双向瞬态抑制二级管。

单向TVS管的正向特性跟普通稳压二极管一样，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并且保持在这一水平上。

平常使用时应该正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最a大瞬态浪涌功率。器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测出器件两端的电压称为击穿电压，在这个范围内，二极管成为低阻抗的通路。