本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：详细信息 技术：Si 安装风格：SMD / SMT 封装/箱体：SO-8 晶体管极性：N沟道 通道数量：1个频道 Vds-漏源极击穿电压：30 V Id-连续直流电流：14 A Rds上漏源导通电阻：14毫欧 Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V Qg-血浆甲醛：17 nC Pd-功率耗散：3.5 W 封装：剪切带 封装：MouseReel 封装：Reel 配置：单 高度：1.75毫米 长度：4.9毫米 晶体管类型：1 N沟道 宽度：3.9毫米 商标：Infineon / IR 产品类型：MOSFET 工厂包装数量：4000 子类别：MOSFET 零件号别名：IRF7811AVTRPBF SP001566386 单位重量：540毫克 特征 •N通道专用MOSFET •理想用于CPU核心DC-DC转换器 •低传导损耗 •开关损耗低 •最小化用于大电流应用的并联MOSFET •100％RG测试 •无铅 描述 这款新器件采用了先进的HEXFET功率MSFET技术， 可实现导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。 降低的导通和开关损耗使其非常适合为最新一代微 处理器供电的高效DC-DC转换器。 IRF7811AV已针对同步降压转换器中至关重要的所有 参数进行了优化，包括RDS（on），栅极电荷和Cdv / dt 引起的导通抗扰性。 IRF7811AV提供了Qsw和RDS（on） 的极低组合，从而减少了控制和控制方面的损耗。 同步FET应用。 该封装设计用于气相，红外，对流或波峰焊接技术。 在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于2W。 最大绝对额定值 Parameter Symbol IRF7811AV Units Drain-to-Source Voltage VDS 30 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 Continuous Output Current (VGS 3 4.5V) TA = 25°C ID 10.8 A TL = 90°C 11.8 Pulsed Drain Current CD IDM 100 Power Dissipation Q) TA = 25°C PD 2.5 W TL = 90°C 3.0 Junction & Storage Temperature Range TJ , TSTG -55 to 150 °C Continuous Source Current (Body Diode) IS 2.5 A Pulsed Source Current CD ISM 50