客服
 存储器 SST39VF010-70-4C-NHE
 存储器 SST39VF010-70-4C-NHE
 存储器 SST39VF010-70-4C-NHE
 存储器 SST39VF010-70-4C-NHE
 存储器 SST39VF010-70-4C-NHE

-存储器-SST39VF010-70-4C-NHE

发货 广东省深圳市
参数

PLCC-32

封装

1 Mbit

存储容量

128 k x 8

组织

8 bit

数据总线宽度

主营: 信息传输、软件和信息技术服务业

广东省深圳市

构成存储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为1MB。


动态存储器每片只有一条输入数据线,而地址引脚只有8条。为了形成64K地址,必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上,借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元,锁存信号也靠着外部地址电路产生。当要从DRAM芯片中读出数据时,CPU首先将行地址加在A0-A7上,而后送出RAS锁存信号,该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS锁存信号,也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1,则在CAS有效期间数据输出并保持。当需要把数据写入芯片时,行列地址先后将R存储器芯片AS和CAS锁存在芯片内部,然后,WE有效,加上要写入的数据,则将该数据写入选中的存贮单元。由于电容不可能长期保持电荷不变,必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作,以保持电荷稳定,这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1,每隔1⒌12μs产生一次DMA请求,该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时,DMA控制器送出到刷新地址信号,对动态存储器执行读操作,每读一次刷新一行

供应 嵌入式 - 微控制器STM32F407ZGT6

广东省深圳市
¥56/个

供应 嵌入式处理器和控制器STM32F405RGT6

广东省深圳市
¥22/ 个

供应 可编程逻辑XC7K325T-2FFG900I

广东省深圳市
¥610/个

嵌入式处理器STM8S208S6T6

广东省深圳市
¥11/个

USB 接口集成电路 CP2102N-A01-GQFN28

广东省深圳市
¥5/个

可编程逻辑 XC7A200T-2FBG676I

广东省深圳市
¥380/个

EP2S30F672C5N ALTERA 19+ BGA

广东省深圳市
¥0.10/个

EP2S30F672C4N ALTERA 19+ BGA

广东省深圳市
¥0.10/个

EP2S30F672C3N ALTERA 19+ BGA

广东省深圳市
¥0.10/个

EP2S30F672I5N ALTERA 19+ BGA

广东省深圳市
¥0.10/个

EP2S30F672I4N ALTERA 19+ BGA

广东省深圳市
¥0.10/个

EP2S30F672I3N ALTERA 19+ BGA

广东省深圳市
¥0.10/个
产品属性
封装 PLCC-32
存储容量 1 Mbit
组织 128 k x 8
数据总线宽度 8 bit
电源电压-最小 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
电源电流—最大值: 20 mA
最大工作温度: + 70 C
高度 2.84 (Max) mm
长度: 14.05 (Max) mm
数量 6800
关 闭
取消
立即询价 ×
询价产品: 存储器 SST39VF010-70-4C-NHE

*采购数量:

采购数量不能为空

*联系信息:

联系信息不能为空

公司名称:

采购说明:

*验证码:

验证码不正确