规格书：AON5820

规格
FET 类型 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.5 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1510pF @ 10V
功率 - 最大值 1.7W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD，扁平引线裸焊盘
供应商器件封装 6-DFN-EP（2x5）

AON5820 AON5820

                                   深圳市宏源世纪科技有限公司

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