产品属性属性值搜索类似制造商:STMicroelectronics产品种类:NOR闪存RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-48系列:M29W存储容量:32 Mbit接口类型:Parallel组织:4 M x 8, 2 M x 16定时类型:Asynchronous数据总线宽度:8 bit, 16 bit电源电压-最小:2.7 VNOR闪存电源电压-最大:3.6 V电源电流—最大值:10 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray存储类型:NOR 速度:70 ns 结构:Block Erase 商标:STMicroelectronics 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 工厂包装数量:96 子类别:Memory & Data Storage内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)NOR闪存(可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到"(512+16)Byte"的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。NOR闪存

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输(512+16)bit信息，8条就是(512+16)×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是(256+8)×16bit，还是512字节。

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