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H5TQ4G83MFR-PBC SKhynix（海力士）DDR3存储芯片 原厂原装

生产商：SKhynix（海力士）

产品类别：集成电路-存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3

存储容量：4Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：533MHz

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.425V~1.575V

工作温度：0°C ~ 95°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-78

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：SKhynix（海力士）的DDR3存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含SKhynix（海力士）的DRAM,NAND闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR3

DDR3是继DDR2以及更早的DDR内存技术之后的新一代产品，该产品将打破千兆赫速度的局限性，将内存速度提升到一个前所未有的水平。DDR3内存的特点是更快的速度、更高的数据带宽、更低的工作电压和功耗，以及更好的散热性能。DDR3内存设计的目的是支持需要更高数据带宽的下一代四核处理器，使其性能更出色。DDR3内存模块分为1066MHz、1333MHz和1600MHz三种频率（数据传输速率），其中1066MHz和1333MHz DDR3于2007年全面面市，1600MHz DDR3计划于2008年正式推出。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDR III内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。

价格说明

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