详细说明（以下型号信息仅供参考，详细请联系我司销售代表）

H5TC4G83CFR-PBA SK hynix（海力士）DDR3存储芯片 原厂原装

生产商：SK hynix（海力士）

产品类别：集成电路-存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3

存储容量：4Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：533MHz

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.425V~1.575V

工作温度：0°C ~ 95°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-78

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：SK hynix（海力士）的DDR3存储芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大DRAM产品供应商。我司供应的产品包含SK hynix（海力士）的DRAM,NAND闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR3突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

价格说明

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购买说明

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