本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 制造商：Infineon 产品种类：IGBT晶体管 RoHS：详细信息 技术：Si 封装/箱体：TO-247AC-3 安装风格：通孔 配置：单 集电极—发射极MAX电压VCEO：650 V 集电极—射极饱和电压：1.7 V 正极/发射极MAX电压：20 V 在25 C的连续集电极电流：70 A Pd-功率耗散：273 W IGBT晶体管MIN工作温度：-40 C IGBT晶体管MAX工作温度：+ 175 C 系列：TRENCHSTOP 封装：Tube 高度：20.7毫米 长度：15.87毫米 宽度：5.31毫米 商标：Infineon Technologies 正极—射极漏泄电流：100 nA 产品类型：IGBT晶体管 工厂包装数量：25 子类别：IGBT 商标名：TRENCHSTOP 零件号别名：SP001546176 单位重量：426毫克 应用领域 工业电机驱动 UPS 太阳能逆变器 焊接 特征 低VCE（ON）和开关损耗 5.5μs短路SOA 方形RBSOA 至多结温175°C 正VCE（ON）温度系数 无铅，符合RoHs 优点 广泛应用中的高效率 坚固的瞬态性能 可靠性更高 并联运行中出色的电流共享 环保的 额定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 650 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 70 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 50 ICM Pulse Collector Current, VGE = 15V 105 ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  140 IF @ TC = 25°C Diode Continuous Forward Current 80 IF @ TC = 100°C Diode Continuous Forward Current 50 IFM Diode Maximum Forward Current … 140 VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 273 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 136 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -40 to +175 C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m)