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场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AOD484 AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管-N沟道-P沟道MOS管-AOD484-AOS

发货 广东省深圳市
参数

AOS

品牌

AOD484

型号

TO-252

封装

17+18+

批号

主营: 信息传输、软件和信息技术服务业

广东省深圳市

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD484 AOS 美国万代 电子元器件IC

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产品属性
品牌 AOS
型号 AOD484
封装 TO-252
批号 17+18+
FET类型 参照PDF
漏源电压(Vdss) 参照PDF
漏极电流(Id) 参照PDF
漏源导通电阻(RDS On) 参照PDF
栅源电压(Vgs) 参照PDF
栅极电荷(Qg) 参照PDF
反向恢复时间 标准
最大耗散功率 标准
配置类型 标准
工作温度范围 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 贴片SMD
应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
是否跨境货源
导电方式 增强型
主要销售地区 欧洲,东南亚,北美
关 闭
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