供应40V MOS替代NCE4009S充电器MOS,原装正品,库存现货热销
HN4004采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的RDS(开),低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用
一般特性●vds=40V,id=13A rds(开)<11MΩ@vgs=10V(典型8.1兆欧)rds(开)<16兆欧@vgs=4.5伏(典型11 MΩ)●超低RDSON的高密度电池设计●完全特征雪崩电压和电流●稳定性好,均匀性好,EAS高●散热性好的优秀封装。
应用:负荷切换●硬开关和高频电路●不间断电源
30V SOT23 MOS 替代AO3400
TIP42C TIP42CTU 双极晶体管 功率三极管
100V MOS管 选型
DH627微功耗 全极性霍尔开关
SA2601A 矽塔 600V单相 高速风筒/水泵半桥栅极驱动芯片
LP3783B/LP3783BM 芯茂微 隔离型适配器电源IC
DH627微功耗 全极性霍尔开关
SA2601A 矽塔 600V单相 高速风筒/水泵半桥栅极驱动芯片
LP3667BH/LP3667B 芯茂微 5W SOP7隔离型电源芯片
LP3783B/LP3783BM 芯茂微 隔离型适配器电源IC
LP3773A 芯茂微LP3773系列LP3773A/B/C 电源芯片
芯茂微LP3783B 12W隔离型原边反馈控制芯片
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