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IXFH34N65X2 IXYS艾赛斯 2020+ TO-247

IXFH34N65X2-IXYS艾赛斯-2020+-TO-247

发货广东省深圳市

参数

IXFH34N65X2

型号

IXYS艾赛斯

品牌

2020+

批号

TO-247

封装

联系商家

曾丹

深圳市兴科泰科技有限公司

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主营：三极管 | 其他二极管 | 功放IC

广东省深圳市

IXFH34N65X2 IXYS 34A650V 封装TO-247

详细参数：

一般信息

数据列表	IXFx34N65X2;
标准包装	30
包装	管件
零件状态	有源
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	105 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	56nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3330pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	540W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247
封装/外壳	TO-247-3

细节图：

KSE350STU ON/安森美 TO-126

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